一体成型贴片电感测量难以计算,为了省去计算机建模和仿真的步骤,缩短设计时间,针对壶型磁芯和邻近型线圈组成的松耦合旋转变压器建立磁阻模型,根据其大气隙的特点,采用磁阻分析的方法得到其等效电路模型.再以磁芯和线圈的尺寸为参数,分析、推导得出松耦合旋转变压器励磁一体成型贴片电感和漏感的计算公式,并根据设计参数间的关联,给出了一个设计流程图.最后通过计算、仿真和实验三者对比分析,验证了励磁一体成型贴片电感和漏一体成型贴片电感公式的正确性.
磁性薄膜微一体成型贴片电感的研究现状,介绍了薄膜一体成型贴片电感器件的主要参数,分类及其结构上的优缺点,从材料的角度上分析了目前国际上用于制备磁芯一体成型贴片电感的常见材料及其主要的特点。
将铁基非晶及纳米晶环形一体成型贴片电感应用于节能荧光灯电子镇流器中,研究非晶及纳米晶磁芯的性能、磁芯对电子镇流器的电性能影响.结果表明,采用非晶及纳米晶磁芯的36W荧光灯电子镇流器在输入180~240V电压时,工作稳定性好;与采用铁氧体磁芯镇流一体成型贴片电感的电子镇流器相比,启动电流小、预热时间大于0.4s,有利于延长灯管寿命.通过对比,非晶材料更适合制作镇流一体成型贴片电感.
为了更好地保护设备免受雷电浪涌侵袭,电路实际安装中,一般采用采用退耦一体成型贴片电感将两片压敏电阻并联起来,级作能量释放,第二级作线间箝压限位.按照IEC对雷电多脉冲的定义波形,采用了更接近真实自然闪电的高压多脉冲冲击线路,通过改变退耦一体成型贴片电感值及冲击电压值,结果表明:退耦一体成型贴片电感值随着冲击电压的增大而增大,求出了对应电压下的最适退耦一体成型贴片电感值,对浪涌保护器在线路的实际安装中起到一定实际参考作用;当磁芯一体成型贴片电感存在磁饱和时,退耦一体成型贴片电感失效,导致第二级浪涌保护器上的通流量急剧上升.
一体成型贴片电感为了适应大功率变流的应用场景,多SiC MOSFET并联是一种有效的解决方案,在电动汽车电机控制器等电力电子系统中,具有广泛的应用前景.然而,SiC MOSFET器件的静态参数具有分散性,功率回路的寄生参数具有不对称性,以及器件的工作结温存在差异性,都导致并联器件之间的电流应力会出现不均衡现象.就此给出了一种基于耦合一体成型贴片电感的主动均流方法,将多个共用磁芯的耦合线圈串联接入各个器件支路,利用磁通约束,实现各支路的电流平衡.在建立数学模型的基础上,从器件参数、外围电路、结温三个方面,分析了并联器件静态和动态电流不均衡的现象,及其影响因素.然后,建立了耦合一体成型贴片电感的数学模型,得到了耦合一体成型贴片电感实现静态和动态均流的数学物理机理,并给出了其设计方法.最后,利用实验结果验证了耦合一体成型贴片电感在SiC MOSFET并联均流方面的有效性,将电流不平衡度从16%降低到2%以内.
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