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一体成型贴片电感双路变换器的优化方法

作者: 发布时间:2020-08-04 11:05:57点击:1385

一种基于耦合一体成型贴片电感双路变更器的电磁搅扰按捺优化技巧,其特征在于,包含如下步调:步调一:剖析Boost PFC变更器的传导EMI途径,确立变更器的共模和差模搅扰等效电路;步调二:将开关管漏源极电压v′DS视为搅扰源,计较v′DS的波形表白式,接纳短时傅里叶变更法剖析变更器在差别工作模式下v′DS的谐波幅值特征;

两路开关管漏源极电压可经历电源等效变更获得一个等效噪声源vDS;因为两路波形的相位差为一百八十度,则剖析此中一起波形后经历移相获得另一起波形,将两路波形做时域叠加获得等效噪声源vDS的波形;

步调三:基于步调一、步调二,计较变更器在差别工作模式和差别耦合系数下的共模和差模搅扰频谱;步调四:基于步调三,计划EMI滤波器使得变更器在各工作模式下的传导EMI都能知足规范限值;此中,共模和差模搅扰电压传输增益为:  

 式中,CCM显露共模电容的电容值,RLN显露歧路一体成型贴片电感LN的电阻值,CX显露差模电容值,L显露差模一体成型

贴片电感值,α显露耦合系数;显露额定频率;可得噪声源谐波幅值表白式为:  式中,k显露周期数,t显露初始时间,Ts显露周期函数的周期;共模和差模搅扰电压由噪声源谐波幅值和共、差模搅扰电压传输增益求得,为:   式中,VDS显露噪声源谐波幅值,别的各象征含意同上;计较或尝试获得原始变更器的传导EMI的频谱,若获得的共模或差模搅扰噪声跨越规范划定的限值请求,则将共模和差模搅扰频谱减去规范限值,获得EMI滤波器需求供应的衰减频谱;断定EMI滤波器布局,而后将EMI滤波器衰减频谱的渐近线从低频至高频慢慢迫临EMI滤波器需求供应的衰减频谱;

当两者在被测频率局限内某一频率处的共模和差模搅扰值订交时,EMI滤波器刚好供应充足的衰减,此时的订交频率为该EMI滤波器计划的环节频率凭据环节频率处的共模和差模搅扰值计较EMI滤波器所需的挫折频率或凭据下式断定EMI滤波器的元件电容和一体成型贴片电感参数:  式中,Limit显露限制电流值,slope显露峰值赔偿值;

走电流的表白式为:Ig=Vin·ωline·Cy式中,Vin显露电压输入值,ωline显露输入电压的角频率,Cy显露共模电容值;共模扼流圈的一体成型贴片电感值表白式为:  式中,LCM显露共模滤波一体成型贴片电感值,显露共模EMI滤波器的挫折频率,别的各象征含意同上;差模滤波一体成型贴片电感LDM为两片面,一片面为共模一体成型贴片电感的漏感Lleak,另一片面为分外进入的一体成型贴片电感2LD,且知足下述干系,即:LDM=Lleak+2LD差模滤波一体成型贴片电感和差模电容的干系式,即:  此中,电容Cx1和Cx2并联;式中,显露差模EMI滤波器的挫折频率,CDM显露差模电容值。

行使一体成型贴片电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定高纯钼样品中杂质元素含量时,因为钼元素具备富厚的谱线,所以钼基体看待测元素搅扰较大。为了消弭钼基体看待测元素的搅扰,试验应用过氧化氢消融样品,过多硝酸积淀分开钼基体作为样品前处分步调,确立了基体分开-一体成型贴片电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高纯钼中钙、铬、铜、钴、镁、镍、锌、镉和锰的技巧。应用4mL过氧化氢消融样品,10mL硝酸积淀钼基体,钼的积淀服从大于99%,积淀后,各待测元素布景等效浓度均有降落,且收购率都高于85%,随积淀丧失较少。

一体成型贴片电感应用高纯钼基体积淀分开的技巧配制校准曲线,各待测元素校准曲线线性相干系数均大于0.999 7;技巧中各元素的定量限为0.20~2.03μg/g。试验技巧用于测定高纯钼样品中钙、铬、铜、钴、镁、镍、锌、镉和锰,后果的比较规范误差(RSD,n=5)为2.0%~4.8%,测定后果与一体成型贴片电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)后果同等。


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